Транзистор BC327-25 PNP

10.00 

Характеристики:

  • Материал p-n-перехода: Si
  • Структура транзистора: PNP
  • Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.8 A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 60 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 160

100 в наличии

Артикул: MKD0101 Категория:

Описание

Характеристики:

  • Материал p-n-перехода: Si
  • Структура транзистора: PNP
  • Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.8 A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 60 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 160

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Транзистор BC327-25 PNP”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

20 + 8 =